IXFN60N60 دیتاشیت

IXFN60N60

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IXFN60N60
حجم فایل 133.292 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 3

مشاهده دیتاشیت IXFN60N60

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: IXYS
  • Series: HiPerFET™
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 500mA, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Chassis Mount
  • Supplier Device Package: SOT-227B
  • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
  • detail: N-Channel 600V 60A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

محصولات مشابه